环球公认的超卓的模拟/搀杂信号晶圆代工场X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日文牍，新增集成无源器件（IPD）制造才智，进一步增强其在射频（RF）范围的庸俗实力。公司在欧洲微波展（9月17至22日裸舞 抖音，柏林）举办前夜推出XIPD工艺；过问这次四肢的东说念主员可与X-FAB技艺东说念主员（位于438C展位）就这一翻新进行换取。
本文援用地址：https://www.eepw.com.cn/article/202309/450561.htmX-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构
XIPD源自广受宽饶的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技艺应用工程基底和厚铜金属化层，让客户不详在其器件盘算中径直集成无源元件（电感器、电容器和电阻器），从而显赫检朴空间及本钱。借助公司在铜金属化技艺范围的丰富教授，关联出产制造将在X-FAB位于法国科尔贝—埃索讷（Corbeil-Essonnes）的工场进行。
5G蜂窝基础轨范的不休推出、6G通讯的发展，以及最新一代雷达和卫星通讯技艺的泄漏，均需要不详撑捏更宽频率的器件。基于XIPD平台，可制造出具有更高性能特征的全集成高质地无源元件，从而餍足对更紧凑RF/EMI滤波器、匹配网络、均衡器和耦合器的需求。
由于使用名义贴装或分立无源元件可能会因元件在高频率下的偏差或元件采购复杂性的增多而带来未便，XIPD提供了一种更为有用的阶梯，可简化举座系统盘算、加速征战周期、简化制造经过，并镌汰关联工程用度，还不错适合从sub—6GHz频段一直到毫米波高频段的庸俗频率范围。
X-FAB技艺的特有之处在于可为任何批量的集成无源器件制造提供代工功绩。咱们推出全面的工艺盘算套件（PDK），同期撑捏Cadence和Keysight ADS盘算环境，使客户不详进行齐全RF子系统的精准仿真，并得到初度告捷（first-time-right）盘算。当今，与几家主要客户的初步原型盘算现已初始。
“诚然RF半导体器件不休收缩，但与之配套的无源元件仍相对较大。两者间的这种不匹配占用了过多的电路板面积，不恰当对更前锋电子成就的需求。”X-FAB首席实行官Rudi De Winter指出，“通过选择咱们的XIPD技艺，不仅不错检朴多个数目级的空间，还不错镌汰关联本钱。这关于咱们的客户群而言，有可能信得过转换行业的游戏要领，允许有源和无源芯片共同封装，同期收场高产量。”
X-FAB射频技艺总监Greg U'Ren补充说：“此外，当今基于声学技艺的滤波惩处决策无法收场毫米波频率使命，难以餍旁边一代通讯轨范的条件。咱们的XIPD惩处决策使客户不详收场紧凑的RF系统盘算，并通过统共集成的硬件最大限定地减少损耗，从而为市集创造价值。咱们仍是在开展70—80GHz频段的使命面容，而使用分立式无源决策是无法思象的。”
缩略语：
黄色小电影ADS Keysight的先进盘算系统
EMI 电磁侵扰（Electromagnetic Interference）
IPD 集成无源器件
RF 射频
SOI 绝缘体上硅裸舞 抖音
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